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R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 2.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R8002KND3TL1

Fabricante N.º:

R8002KND3TL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Hoja de datos:

R8002KND3TL1 Hoja de datos

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	$0.678	$678.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.645	$1,612.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	7.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	100 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Alias de las piezas n.º:	R8002KND3

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs are low on-resistance devices with fast switching. The R8002KN features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.