PJQ5526_R2_00201
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241-PJQ5526_R2_00201
PJQ5526_R2_00201
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos:
Hoja de datos
Códigos de cumplimiento
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 2,986
-
Existencias:
-
2,986 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.12 | $1.12 | |
| $0.701 | $7.01 | |
| $0.459 | $45.90 | |
| $0.354 | $177.00 | |
| $0.321 | $321.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| $0.277 | $831.00 | |
| $0.256 | $1,536.00 | |
| $0.244 | $2,196.00 | |
Honduras
