PJD30N04S-AU_L2_002A1 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,890En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 43 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit PJD30N04S-AU-L2-002A1
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 43A
Hoja de datos
N/A