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NVMTS4D3N15MC

Name: onsemi NVMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS4D3N15MC
Price: 7.47 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NVMTS4D3N15MC

Fabricante N.º:

NVMTS4D3N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

Hoja de datos:

NVMTS4D3N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$7.47	$7.47
	$5.16	$51.60
	$3.93	$393.00
	$3.92	$1,960.00
	$3.57	$3,570.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$3.20	$9,600.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	165 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	292 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMTS4D3N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVMTS4D3N15MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.