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NVMJD020N08HLTWG

Name: onsemi NVMJD020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJD020N08HLTWG
Price: 2.07 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NVMJD020N08HLTWG

Fabricante N.º:

NVMJD020N08HLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	11.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	NVMJD020N08HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns

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NVMJD020N08HLTWG Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LFPAK8 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive N-channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single-power MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.