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MUN5213DW1T1G

Name: onsemi MUN5213DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN5213DW1T1G
Price: 0.24 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MUN5213DW1T1G

Fabricante N.º:

MUN5213DW1T1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores digitales SS BR XSTR NPN 50V

Hoja de datos:

MUN5213DW1T1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.24	$0.24
	$0.148	$1.48
	$0.093	$9.30
	$0.068	$34.00
	$0.06	$60.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.049	$147.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MUN5213DW1T3G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$0.24

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores digitales
RoHS:
Configuración:	Dual
Polaridad del transistor:	NPN
Resistor de entrada típico:	47 kOhms
Proporción de resistor típica:	1
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363(PB-Free)-6
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	50 V
Corriente continua del colector:	100 mA
Corriente CC máxima de colector:	100 mA
Dp - Disipación de potencia :	256 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	Digital Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	28 mg

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Hoja de datos

MUN5213DW1T1G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.