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MR0A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BYS35
Price: 20.1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR0A08BYS35

Fabricante N.º:

MR0A08BYS35

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR0A08BYS35 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$20.10	$20.10
	$18.63	$186.30
	$18.05	$451.25
	$17.61	$880.50
	$16.99	$1,699.00
	$14.62	$3,947.40
	$14.30	$7,722.00
1,080	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-44
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	128 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	25 mA, 55 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Serie:	MR0A08B
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x8)
Peso de la unidad:	11.146 g

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PCN

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.