IXSH20N120L2KHV

IXYS
747-IXSH20N120L2KHV
IXSH20N120L2KHV

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 550

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
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$4.45 $44.50
$3.60 $360.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 450)
$3.19 $1,435.50
$2.73 $2,457.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
20 A
208 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10.4 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 10.8 ns
Serie: IXSxNxL2Kx
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 8.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 2.8 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).