IS66WVR4M8ALL-104NLI

ISSI
870-6WVR4M8ALL104NLI
IS66WVR4M8ALL-104NLI

Fabricante:

Descripción:
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
32 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
4 M x 8
7 ns
1.65 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 15 mA
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.