IS42S32200N-7BL

ISSI
870-IS42S32200N-7BL
IS42S32200N-7BL

Fabricante:

Descripción:
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 200
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$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.52 $3.52
$3.28 $32.80
$3.18 $79.50
$3.11 $155.50
$3.04 $304.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
143 MHz
BGA-90
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 65 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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