IPI086N10N3 G
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726-IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
Hoja de datos:
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Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Malasia
- País de origen del ensamblaje:
- China
- País de difusión:
- Malasia
En existencias: 2,707
-
Existencias:
-
2,707 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.55 | $2.55 | |
| $1.25 | $12.50 | |
| $1.12 | $112.00 | |
| $0.885 | $442.50 | |
| $0.801 | $801.00 | |
| $0.776 | $1,940.00 |