IKW15N120H3

Infineon Technologies
726-IKW15N120H3
IKW15N120H3

Fabricante:

Descripción:
IGBTs IGBT PRODUCTS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.05 V
- 20 V, 20 V
30 A
217 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT4
Tube
Marca: Infineon Technologies
Corriente de fuga puerta-emisor: 600 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º: SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1
Peso de la unidad: 38 g
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Hoja de datos

Product Catalogs

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
240
Se espera el 15/10/2026
480
Se espera el 5/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
36
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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