IAUZN10S7N078ATMA1

Infineon Technologies
726-IAUZN10S7N078ATM
IAUZN10S7N078ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
76 A
7.8 mOhms
20 V
3.2 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3.6 ns
Serie: OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 4.7 ns
Alias de las piezas n.º: IAUZN10S7N078 SP006030405
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20VGS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

En existencias: 4,877

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