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HT8KF6HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KF6HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KF6HTB1
Price: 2.29 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-HT8KF6HTB1

Fabricante N.º:

HT8KF6HTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

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	$0.998	$99.80
	$0.832	$416.00
	$0.799	$799.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.679	$2,037.00
	$0.672	$6,048.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	214 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	6.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.