GCMX010A120B2B1P

SemiQ
148-GCMX010A120B2B1P
GCMX010A120B2B1P

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

Ciclo de vida:
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500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
214 A
9 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
GCMX
Reel
Cut Tape
Marca: SemiQ
Tiempo de caída: 22 ns
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 13 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 40
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Half-Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico: 75 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40 ns
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Módulos de medio puente MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de medio puente MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.