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GCMX003A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S3B1N
Price: 260.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GCMX003A120S3B1N

Fabricante N.º:

GCMX003A120S3B1-N

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

GCMX003A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

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	$260.78	$260.78
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105	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	S3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	625 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.113 kW
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
Tiempo de caída:	28 ns
Altura:	30 mm
Longitud:	106.4 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	21 n
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Half Bidge Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	138 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	79 ns
Vf - Tensión directa:	4 V
Ancho:	61.4 mm

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Hoja de datos

GCMX003A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Módulos de medio puente MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de medio puente MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.