FS01MR08A8MA2CHPSA1

Infineon Technologies
726-FS01MR08A8MA2CHP
FS01MR08A8MA2CHPSA1

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
SiC MOSFET Modules
Bridge Power Module
SiC
4.64 V
- 5 V, + 19 V
Press Fit
HybridPACK
Tray
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 53 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 620 A
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 1.69 mOhms
Tiempo de subida: 108 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 6
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tiempo de retardo de apagado típico: 318 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 128 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 750 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
Alias de las piezas n.º: FS01MR08A8MA2C SP006071563
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ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.