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FDD86250

Name: onsemi FDD86250
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86250
Price: 1.84 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDD86250

Fabricante N.º:

FDD86250

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDD86250 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.84	$1.84
	$1.23	$12.30
	$0.894	$89.40
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.894	$2,235.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	51 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	132 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDD86250
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

NTDS015N15MC Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

onsemi NTDS015N15MC Shielded Gate PowerTrench^® MOSFET is an N-channel MOSFET that is designed to reduce on-state resistance and maintains good switching performance. This MOSFET features 150V drain-to-source voltage (V_DSS), 15mΩ maximum drain-to-source resistance (R_DS(on)) at 10V, and 50A drain current (I_D). The NTDS015N15MC MOSFET offers low capacitance to minimize driver losses and an optimized gate charge to minimize switching losses. Typical applications include a synchronous rectifier in the secondary of a power supply and motor control.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.