F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

Infineon Technologies
726-F3L8MXTR12C2M2H1
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
1.2 kV
95 A
16.8 mOhms
- 10 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
20 mW
EasyPACK C series
Tray
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Module
Tiempo de caída: 28.7 ns
Altura: 12 mm
If - Corriente directa: 50 A
Longitud: 57.1 mm
Producto: MOSFET Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 24.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 15
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: CoolSiC
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 63 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 50.4 ns
Vf - Tensión directa: 4.35 V
Ancho: 53 mm
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Alemania
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFETs Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFETs Modules combine second-generation CoolSiC trench MOSFETs with the low inductance Easy C series platform and .XT interconnect technology. These Infineon modules deliver ultra-low switching losses, tighter parasitic control, and enhanced robustness during power cycling. Rugged PressFIT pins, integrated NTC sensing, integrated mounting clamps, and high CTI insulation streamline assembly and support demanding mission profiles. Available in four-pack (F4) and 3-level (F3) topologies, the series is offered in 8mΩ and 13mΩ resistance classes to help users raise switching frequency, shrink magnetics, and boost power density while maintaining EMI performance and thermal margin.

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

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Existencias:
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