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DMN3730UFB4-7

Name: Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3730UFB4-7
Price: 0.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN3730UFB4-7

Fabricante N.º:

DMN3730UFB4-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

Hoja de datos:

DMN3730UFB4-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.74	$0.74
	$0.458	$4.58
	$0.295	$29.50
	$0.24	$120.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.24	$720.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	X2-DFN1006-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	730 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	460 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	1.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	690 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	40 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	DMN37
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	1 mg

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Hoja de datos

DMN3730UFB4-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8532240000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.