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DMC25D0UVT-7

Name: Diodes Incorporated DMC25D0UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC25D0UVT-7
Price: 0.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMC25D0UVT-7

Fabricante N.º:

DMC25D0UVT-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos:

DMC25D0UVT-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.68	$0.68
	$0.424	$4.24
	$0.272	$27.20
	$0.207	$103.50
	$0.186	$186.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.15	$450.00
	$0.14	$840.00
	$0.135	$1,215.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOT-26-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V, 30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA, 2.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 Ohms, 300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	650 mV, 500 mV
Qg - Carga de puerta:	700 pC, 21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.7 ns, 14.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.3 ns, 3.3 ns
Serie:	DMC25
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.7 ns, 61.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns, 3.5 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

DMC25D0UVT-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.