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BSC076N04NDATMA1

Name: Infineon BSC076N04NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC076N04NDATMA1
Price: 2.02 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC076N04NDATMA1

Fabricante N.º:

BSC076N04NDATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos:

BSC076N04NDATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	38 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	65 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	BSC076N04
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC076N04ND SP002594330

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs are N-channel power transistors in a SuperSO8 package with dual-cool capability for enhanced thermal performance. The Infineon OptiMOS Power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density, and cost-effectiveness. These devices feature low on-state resistance (R_DS(on)) and low reverse recovery charge (Q_rr), increasing power density while improving robustness and system reliability. The +175°C rating facilitates designs with either more power at a higher operating junction temperature or a longer lifetime at the same operating junction temperature.