|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
- DMNH6035SPDW-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.17
-
3,368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMNH6035SPDW-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
|
|
3,368En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.742
|
|
|
$0.617
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
- DMP1046UFDB-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.72
-
63,929En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP1046UFDB-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
|
|
63,929En existencias
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.444
|
|
|
$0.285
|
|
|
$0.217
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.132
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.175
|
|
|
$0.155
|
|
|
$0.132
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 220 Amps 80V
- DSS2X111-008A
- IXYS
-
1:
$42.01
-
130En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DSS2X111-008A
|
IXYS
|
Rectificadores y diodos Schottky 220 Amps 80V
|
|
130En existencias
|
|
|
$42.01
|
|
|
$35.70
|
|
|
$34.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores digitales NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
- EMD38T2R
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.46
-
26,795En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-EMD38T2R
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores digitales NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
|
|
26,795En existencias
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.283
|
|
|
$0.179
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.076
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.107
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
8,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A
- QH8KC6TCR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.86
-
4,184En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-QH8KC6TCR
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A
|
|
4,184En existencias
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.794
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.496
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC AECQ
- SCS210KE2HRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$11.07
-
798En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS210KE2HRC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC AECQ
|
|
798En existencias
|
|
|
$11.07
|
|
|
$6.61
|
|
|
$6.48
|
|
|
$6.11
|
|
|
$6.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
- SCS220KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$16.84
-
572En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS220KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
|
|
572En existencias
|
|
|
$16.84
|
|
|
$10.35
|
|
|
$9.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -7A MOSFET
- SH8J65TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.61
-
2,480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8J65TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -7A MOSFET
|
|
2,480En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.925
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.808
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
- SH8M24TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.35
-
2,551En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8M24TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
|
|
2,551En existencias
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.36
|
|
|
$0.977
|
|
|
$0.816
|
|
|
$0.759
|
|
|
$0.695
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Power MOSFET
- SH8MA3TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.56
-
6,784En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8MA3TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Power MOSFET
|
|
6,784En existencias
|
|
|
$1.56
|
|
|
$0.935
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.416
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.467
|
|
|
$0.387
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores digitales Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363
- UMH11NFHATN
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.46
-
37,181En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-UMH11NFHATN
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores digitales Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363
|
|
37,181En existencias
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.204
|
|
|
$0.161
|
|
|
$0.137
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.113
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja The factory is currently not accepting orders for this product.
- BAS31,235
- Nexperia
-
1:
$0.44
-
38,412En existencias
-
40,000Se espera el 28/5/2026
|
N.º de artículo de Mouser
771-BAS31235
|
Nexperia
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja The factory is currently not accepting orders for this product.
|
|
38,412En existencias
40,000Se espera el 28/5/2026
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.301
|
|
|
$0.191
|
|
|
$0.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.07
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.079
|
|
|
$0.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
- SISF00DN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.44
-
15,134En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
|
|
15,134En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.781
|
|
|
$0.729
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
- SQ4940AEY-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.82
-
5,915En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940AEY-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
|
|
5,915En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.775
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.558
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.488
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
- SQJ262EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.04
-
5,552En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
|
|
5,552En existencias
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.692
|
|
|
$0.634
|
|
|
$0.569
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ960EL-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.38
-
2,356En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
2,356En existencias
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 30A 200V Trench Stky Rectifier
- VB30202C-M3/4W
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.83
-
5,597En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VB30202C-M3/4W
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky 30A 200V Trench Stky Rectifier
|
|
5,597En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
- NVMFD5C446NLWFT1G
- onsemi
-
1:
$5.76
-
2,177En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NLWFT
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
|
|
2,177En existencias
|
|
|
$5.76
|
|
|
$3.68
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.55
|
|
|
$2.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
- MMBD1503A-D87Z
- onsemi
-
1:
$0.35
-
87,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-MMBD1503AD87Z
|
onsemi
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
|
|
87,858En existencias
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.223
|
|
|
$0.158
|
|
|
$0.128
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.091
|
|
|
$0.111
|
|
|
$0.11
|
|
|
$0.102
|
|
|
$0.091
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 150MW 85V
- BAS116V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.31
-
87,778En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-BAS116V-7
|
Diodes Incorporated
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 150MW 85V
|
|
87,778En existencias
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.203
|
|
|
$0.147
|
|
|
$0.092
|
|
|
$0.079
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.085
|
|
|
$0.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
- DMC1028UVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.76
-
32,850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMC1028UVT-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
|
|
32,850En existencias
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.405
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.207
|
|
|
$0.144
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
- DMG1016UDW-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.41
-
80,981En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016UDW-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
|
|
80,981En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.159
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.117
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.10
|
|
|
$0.089
|
|
|
$0.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
- SBR15U100CTLQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.73
-
5,010En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-SBR15U100CTLQ-13
|
Diodes Incorporated
|
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
|
|
5,010En existencias
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.612
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.533
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
- DD1200S17H4_B2
- Infineon Technologies
-
1:
$774.63
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-DD1200S17H4_B2
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL316C H6327
- Infineon Technologies
-
1:
$1.27
-
45,494En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
45,494En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.553
|
|
|
$0.342
|
|
|
$0.218
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.258
|
|
|
$0.193
|
|
|
$0.169
|
|
|
$0.154
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
