YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6 3,000En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6 3,000En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8 2,929En existencias
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Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3 2,995En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.7 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6 2,980En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 170 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6 3,000En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 125 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252 2,999En existencias
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Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 5,117En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM 855En existencias
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T 988En existencias
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T 996En existencias
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 72 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252 2,980En existencias
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Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252 2,987En existencias
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Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 700 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23 22En existencias
3,000Se espera el 3/3/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S 3,000En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 75 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S 3,000En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S 2,399En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 53 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30 890En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.1 A, 8.7 A 20 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5 nC, 6 nC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S 2,551En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.4 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S 2,870En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S 3,000En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 9A SOT-23S 2,925En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S 2,990En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S 2,845En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 1,542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel