IPU95R3K7P7AKMA1

Infineon Technologies
726-IPU95R3K7P7AKMA1
IPU95R3K7P7AKMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
2 A
3.7 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 40 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 23 ns
Serie: P7
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7ns
Alias de las piezas n.º: IPU95R3K7P7 SP001792320
Peso de la unidad: 387.110 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Alemania
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Alemania
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 2,153

Existencias:
2,153 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.51 $1.51
$0.668 $6.68
$0.598 $59.80
$0.538 $269.00
$0.463 $463.00
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