NVMFS5C404NET1G

onsemi
863-NVMFS5C404NET1G
NVMFS5C404NET1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1,350

Existencias:
1,350 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.88 $3.88
$2.54 $25.40
$1.77 $177.00
$1.45 $725.00
$1.35 $1,350.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.34 $2,010.00
$1.29 $5,805.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
378 A
700 uOhms
20 V
4 V
128 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 109 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 113 ns
Serie: NVMFS5C404N
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 77 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.