NVMFS4C305NET1G

onsemi
863-NVMFS4C305NET1G
NVMFS4C305NET1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
127 A
2.8 mOhms
20 V
2.2 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 26 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 26 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

En existencias: 1,460

Existencias:
1,460 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
45 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 146
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.48 $1.48
$0.696 $6.96
$0.619 $61.90
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$0.619 $928.50

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