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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.94 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSVT5551MR6T1G

Fabricante N.º:

NSVT5551MR6T1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

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	$0.186	$1,674.00
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOT-23-6
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	160 V
Tensión VCBO colector-base:	180 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Dp - Disipación de potencia :	700 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	600 mA
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80 at 1 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolar Transistor

onsemi NSVT5551M Bipolar Transistor is an AEC-Q101 qualified NPN general-purpose low V_CE(sat) amplifier. This NPN bipolar transistor has matched dies and operates at -55°C to 150°C storage temperature range. The NSVT5551M BJT Pb-free, halogen-free, BFR-free, and RoHS-compliant. This transistor is generally used for many different applications.