HGTP10N120BN

512-HGTP10N120BN
HGTP10N120BN

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 35A 1200V N-Ch

Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
Restricciones de envío:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
35 A
298 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP10N120BN
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 35 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: HGTP10N120BN_NL
Peso de la unidad: 1.800 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.