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FFSH3065B-F085

Name: onsemi FFSH3065B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH3065B-F085
Price: 10.2 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSH3065B-F085

Fabricante N.º:

FFSH3065B-F085

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 30A SIC SBD

Hoja de datos:

FFSH3065B-F085 Hoja de datos

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	110 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSH3065B_F085
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	268 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	5.321 g

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Hoja de datos

FFSH3065B-F085 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.