TK5A80E,S4X
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757-TK5A80ES4X
TK5A80E,S4X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos:
En existencias: 148
-
Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
-
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.25 | $2.25 | |
| $1.10 | $11.00 | |
| $1.01 | $101.00 | |
| $0.737 | $368.50 | |
| $0.669 | $669.00 | |
| $0.668 | $1,670.00 | |
| $0.643 | $3,215.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Operational Amplifiers and Comparators
- Designing of Low Power Op Amps for Dust Sensor
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Low-Noise CMOS Operational Amplifider Ideal for Sensor Signal Amplification
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Signal Gain and Noise Gain of the Op-Amp
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
