TK4A50D(STA4,Q,M)
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
757-TK4A50DSTA4QM
TK4A50D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
Hoja de datos:
En existencias: 325
-
Existencias:
-
325 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.27 | $1.27 | |
| $0.589 | $5.89 | |
| $0.545 | $54.50 | |
| $0.387 | $193.50 | |
| $0.345 | $345.00 | |
| $0.343 | $857.50 | |
| $0.311 | $1,555.00 | |
| $0.295 | $2,950.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- TARIC:
- 8542399000
- MXHTS:
- 8542399901
- ECCN:
- EAR99
Honduras
