Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

TK10Q60W,S1VQ

Name: Toshiba TK10Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK10Q60WS1VQ
Price: 4.32 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TK10Q60WS1VQ

Fabricante N.º:

TK10Q60W,S1VQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

Hoja de datos:

TK10Q60W,S1VQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TK10Q60W,S1VQ

En existencias: 150

Existencias:: 150 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.32	$4.32
	$2.43	$24.30
	$1.71	$128.25
	$1.58	$829.50
	$1.52	$1,596.00
10,050	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-251-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	327 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.7 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	TK10Q60W
Cantidad de empaque de fábrica:	75
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns
Peso de la unidad:	340 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TK10Q60W,S1VQ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.