SSM3J133TU,LF

Toshiba
757-SSM3J133TULF
SSM3J133TU,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 8,356

Existencias:
8,356 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.59 $0.59
$0.359 $3.59
$0.229 $22.90
$0.173 $86.50
$0.153 $153.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.127 $381.00
$0.116 $696.00
$0.108 $972.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UFM-3
P-Channel
1 Channel
20 V
5.5 A
24.9 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SSM3J133TU
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 107 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 32 ns
Peso de la unidad: 6.600 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.