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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 14.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG5200MOFR

Fabricante N.º:

LMG5200MOFR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Hoja de datos:

LMG5200MOFR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$14.68	$14.68
	$11.15	$111.50
	$10.69	$267.25
	$9.42	$942.00
	$8.96	$2,240.00
	$8.74	$4,370.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$7.42	$14,840.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFM-9
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	10 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.25 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	3 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 Ohms
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	GaN
Peso de la unidad:	2.338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200

La etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200 de Texas Instruments proporciona una solución de etapa de potencia integrada utilizando FET con nitruro de galio (GaN) en modo de mejora. El dispositivo consiste en dos FET GaN de 80 V que están impulsados por un controlador FET GaN de alta frecuencia en una configuración de medio puente. Los FET GaN ofrece ventajas significativas para la conversión de potencia, ya que cuentan con recuperación inversa casi nula y C_ISS con capacitancia de entrada muy pequeña. Todos los dispositivos están montados en una plataforma con paquete libre de alambre de conexión, con una cantidad mínima de elementos parásitos en el paquete. Las entradas compatibles con la lógica TTL pueden resistir voltajes de entrada de hasta 12 V, sin importar el voltaje V_CC. La técnica patentada de fijación de voltaje de arranque garantiza que los voltajes de puerta de los FET GaN en modo de mejora se encuentren dentro de un rango operativo seguro.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.