CSD87312Q3E

Texas Instruments
595-CSD87312Q3E
CSD87312Q3E

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,500

Existencias:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.95 $1.95
$1.29 $12.90
$0.859 $85.90
$0.698 $349.00
$0.658 $658.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.577 $1,442.50
$0.537 $2,685.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
27 A
33 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
6.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 2.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 39 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 16 ns
Serie: CSD87312Q3E
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7.8 ns
Peso de la unidad: 31.200 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

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