CSD86336Q3DT

Texas Instruments
595-CSD86336Q3DT
CSD86336Q3DT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3D

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
20 A
9.1 mOhms
- 8 V, 8 V
1.1 V
3.8 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 40 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: CSD86336Q3D
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Peso de la unidad: 99.500 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$2.91 $2.91
$1.44 $14.40
$1.14 $114.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$1.14 $285.00
$0.989 $494.50
$0.979 $979.00
$0.965 $2,412.50
$0.927 $4,635.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
CSD86336Q3D
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$2.18
Mín.:
1

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