CSD25485F5T

Texas Instruments
595-CSD25485F5T
CSD25485F5T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

Modelo ECAD:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.60 $1.60
$1.00 $10.00
$0.669 $66.90
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$0.669 $167.25
$0.528 $264.00
$0.476 $476.00
$0.436 $1,090.00
$0.394 $1,970.00
$0.381 $3,810.00
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.62
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.2 A
250 mOhms
- 12 V, 12 V
1.3 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 7 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns
Serie: CSD25485F5
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 27 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 0.700 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.