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CSD25481F4

Name: Texas Instruments CSD25481F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25481F4

Fabricante N.º:

CSD25481F4

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.42	$0.42
	$0.293	$2.93
	$0.183	$18.30
	$0.126	$63.00
	$0.11	$110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.099	$297.00
	$0.082	$492.00
	$0.064	$576.00
	$0.061	$1,464.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD25481F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.15

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD25481F4T

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	800 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	913 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.6 ns
Serie:	CSD25481F4
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Peso de la unidad:	0.400 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

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