CSD25310Q2T

Texas Instruments
595-CSD25310Q2T
CSD25310Q2T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
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Cinta cortada / MouseReel™
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$0.472 $4.72
$0.44 $44.00
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$0.44 $110.00
$0.432 $216.00
$0.42 $420.00
$0.419 $1,047.50
$0.418 $2,090.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.56
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
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Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
P-Channel
1 Channel
20 V
20 A
19.9 mOhms
- 8 V, 8 V
1.1 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 34 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: CSD25310Q2
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Peso de la unidad: 6 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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