CSD25304W1015T

Texas Instruments
595-CSD25304W1015T
CSD25304W1015T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.69 $1.69
$1.08 $10.80
$0.626 $62.60
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$0.626 $156.50
$0.528 $264.00
$0.476 $476.00
$0.457 $1,142.50
$0.423 $2,115.00
$0.417 $4,170.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.78
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
20 V
3 A
92 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: CSD25304W1015
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Peso de la unidad: 1.700 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.