CSD19537Q3

Texas Instruments
595-CSD19537Q3
CSD19537Q3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
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Cinta cortada / MouseReel™
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$1.02 $10.20
$0.674 $67.40
$0.59 $295.00
$0.539 $539.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.484 $1,210.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$2.14
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
14.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 3 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Serie: CSD19537Q3
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Peso de la unidad: 24 mg
Productos encontrados:
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Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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