CSD17484F4

Texas Instruments
595-CSD17484F4
CSD17484F4

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

Modelo ECAD:
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27,000
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Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.42 $0.42
$0.291 $2.91
$0.182 $18.20
$0.123 $61.50
$0.109 $109.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.096 $288.00
$0.082 $492.00
$0.073 $657.00
$0.06 $1,440.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
128 mOhms
- 12 V, 12 V
650 mV
920 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1 ns
Serie: CSD17484F4
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Peso de la unidad: 0.400 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.