CSD16570Q5BT

Texas Instruments
595-CSD16570Q5BT
CSD16570Q5BT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.71 $3.71
$2.43 $24.30
$1.28 $128.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$1.28 $320.00
$1.22 $610.00
$1.20 $12,000.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$2.52
Mín.:
1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD16570Q5BT

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
680 uOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
192 nC
- 40 C
+ 85 C
195 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 72 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 43 ns
Serie: CSD16570Q5B
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 156 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Peso de la unidad: 24 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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