CSD13306WT

Texas Instruments
595-CSD13306WT
CSD13306WT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 492

Existencias:
492 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.83 $0.83
$0.633 $6.33
$0.481 $48.10
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$0.481 $120.25
$0.461 $230.50
$0.455 $455.00
$0.418 $1,045.00
$0.409 $2,045.00
$0.402 $4,020.00
$0.393 $9,825.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.69
Mín.:
1

Producto similar

Texas Instruments CSD13306W
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
N-Channel
1 Channel
12 V
3.5 A
10.2 mOhms
- 10 V, 10 V
700 mV
11.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 15 S
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Serie: CSD13306W
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 20 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 1.700 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.