TSM60NE160CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSM60NE160CERVG
TSM60NE160CE RVG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-4
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
160 mOhms
30 V
6 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
173 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 70 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 47 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 31 ns
Peso de la unidad: 200 mg
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Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 6000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$2.15 $12,900.00

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