BSS84 RFG

Taiwan Semiconductor
821-BSS84
BSS84 RFG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60, -0.15, Single P-Channel

Modelo ECAD:
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$0.164 $1.64
$0.104 $10.40
$0.065 $32.50
$0.054 $54.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.037 $111.00
$0.033 $198.00
$0.029 $261.00
$0.027 $648.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
60 V
150 mA
8 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
1.9 nC
- 55 C
+ 155 C
357 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tiempo de caída: 78 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 0.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channe
Tiempo de retardo de apagado típico: 21 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Alias de las piezas n.º: BSS84
Peso de la unidad: 8 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.