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BSS84 RFG

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Mouser N.º:

821-BSS84

Fabricante N.º:

BSS84 RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60, -0.15, Single P-Channel

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida:

Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

BSS84 RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	1.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 155 C
Dp - Disipación de potencia :	357 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	78 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channe
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS84
Peso de la unidad:	8 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.