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STWA48N60DM2

Name: STMicroelectronics STWA48N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA48N60DM2
Price: 10.4 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STWA48N60DM2

Fabricante N.º:

STWA48N60DM2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	STWA48N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	131 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns
Peso de la unidad:	6 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$10.40	$10.40
	$6.44	$64.40
	$5.59	$559.00
	$4.44	$2,664.00
	$4.43	$5,316.00

STWA48N60DM2

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l Complete su diseño

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