STW8N120K5

STMicroelectronics
511-STW8N120K5
STW8N120K5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 27 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Serie: STW8N120K5
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15.5 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Italia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

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MDmesh K5 Power MOSFETs

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En existencias: 603

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

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