STW65N80K5

STMicroelectronics
511-STW65N80K5
STW65N80K5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 174

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
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$9.33 $93.30
$8.16 $816.00
$7.94 $4,764.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
46 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: STW65N80K5
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 90 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 34 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99